特許
J-GLOBAL ID：200903035648197822
バイポーラトランジスタの作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-211474
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064054
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】炭素を不純物として含むベース層を有するバイポーラトランジスタの作製方法で、炭素不純物の水素化率を低減する。【解決手段】堆積層のエミッタ領域以外をエッチングしてベース層3を露出させ、不活性ガス雰囲気中で炭素不純物の活性化熱処理をし、エミッタ領域内外ベース層3の水素を横方向に拡散脱離させる。
請求項（抜粋）：
基板上に、コレクタ層と、炭素と不純物として添加したp型の導電型を有するベース層、およびn型の導電型を有するエミッタ層を、気相成長法により順次堆積したのち、ホトリソグラフィおよびエッチング技術を用いて形成するバイポーラトランジスタの作製方法において、上記エミッタ領域以外をエッチングしてベース層を露出させたのち、不活性ガス雰囲気中で上記炭素不純物の活性化熱処理を行い、上記エミッタ領域内外のベース層に含有する水素を、横方向の拡散により脱離させることを特徴とするバイポーラトランジスタの作製方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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