特許

J-GLOBAL ID：200903035670227093

集積型半導体発光装置およびその製造方法

発明者： 堀江 秀善
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (2件)： 伊藤 克博 ,  小野 暁子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-120963
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324576
出願日： 2007年05月01日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】本発明は、発光強度の面内均一性がすぐれた大面積の面光源的発光が可能な集積型の化合物半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】複数の発光ユニットを有する集積型化合物半導体発光装置であって、発光ユニットが、第一導電型半導体層24、活性層構造25および第二導電型半導体層26を有する薄膜結晶層を少なくとも有し、主たる光取り出し方向が第一導電型半導体層24側方向であり、第一および第二導電型側電極27、28がその反対側に形成されて、発光ユニット11同士は発光ユニット間分離溝12により電気的に分離され、第一導電型半導体層24より主たる光取り出し方向側に、複数の発光ユニット11間に光学結合層23とバッファ層22が共通して設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の発光ユニットを有する集積型化合物半導体発光装置であって、 前記発光ユニットは、第一導電型クラッド層を含む第一導電型半導体層、活性層構造、および第二導電型クラッド層を含む第二導電型半導体層を有する化合物半導体薄膜結晶層と、第二導電型側電極と、並びに第一導電型側電極とを少なくとも有し、 主たる光取り出し方向が前記活性層構造から見て前記第一導電型半導体層側方向であり、前記第一導電型側電極および前記第二導電型側電極が、前記主たる光取り出し方向とは、反対側に形成されており、 前記発光ユニット同士は、隣接する発光ユニットの間に設けられた発光ユニット間分離溝により電気的に分離され、 さらに、前記第一導電型半導体層より前記主たる光取り出し方向側に、前記複数の発光ユニット間に共通して設けられ、前記複数の発光ユニットを光学的に結合し、1つの発光ユニットから発光された光を他の発光ユニットに分布させる光学結合層と、前記光学結合層の前記主たる光取り出し方向側にバッファ層を有することを特徴とする集積型化合物半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 N ,  H01L33/00 C

Fターム (8件)：

5F041AA05 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041DA03 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 発光部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331083   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-340039   出願人：日亜化学工業株式会社
• 集積型窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-203988   出願人：日亜化学工業株式会社
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-186048   出願人：日亜化学工業株式会社