特許

J-GLOBAL ID：200903035671550734

III族窒化物量子ドットおよびその製造方法

発明者： 平松 和政 ,  三宅 秀人 ,  吉田 治正
出願人/特許権者： 財団法人名古屋産業科学研究所
代理人 (1件)： 小林 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-292052
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101069
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 III族窒化物半導体からなる量子ドット(III族窒化物量子ドット)、およびそのような量子ドットを良好に製造可能な方法を提供すること。【解決手段】 ドライエッチングにおいて、下方の電極の上面に、石英基板とIII族窒化物半導体とを載置した状態でエッチングを行うことにより、III族窒化物半導体101の上面にナノピラー構造50が形成される。このナノピラー構造50の隙間を新たなIII族窒化物半導体で充填して充填層58を形成することにより、III族窒化物量子ドット56を製造する。

請求項（抜粋）：

以下の各工程、?@第1の半導体層と第2の半導体層と第3の半導体層との少なくとも三層を積層させてIII族窒化物半導体膜を作製する積層工程、?A前記III族窒化物半導体膜をドライエッチングすることにより、ナノピラーを作製するナノピラー作製工程、?B前記ナノピラーの隙間に新たな半導体を成長させて充填層を成長させる充填工程を含むことを特徴とするIII族窒化物量子ドットの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/302 J

Fターム (12件)：

5F004AA03 ,  5F004BA04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DB19 ,  5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74