特許
J-GLOBAL ID：200903035672567088

薄膜状半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-285988
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296023
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 特性・信頼性の優れた薄膜トランジスタ(TFT)等の半導体装置の信頼性を向上せしめる方法を提供する。【構成】 絶縁基板上に薄膜トランジスタ(TFT)等の半導体装置を形成する工程において、窒化アルミニウムを主成分とする被膜を形成した後、その上に直接、もしくはその上に酸化珪素等を主成分とする被膜を形成し、その上に形成されたTFT等の半導体装置、および、前記半導体装置の集積化された薄膜集積回路、特に、アクティブマトリクス型液晶ディスプレーへ応用する半導体装置に関する。
請求項（抜粋）：
基板上に、窒化アルミニウムを主成分とする第1の被膜を形成する工程と、前記第1の被膜上に直接もしくは間接にシリコンを主成分とする第2の被膜を形成する工程と、前記第2の被膜上に直接もしくは間接に金属もしくは半導体の配線を形成する工程とを有することを特徴とする薄膜状半導体装置の作製方法。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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