特許
J-GLOBAL ID：200903035685760383
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-188733
公開番号（公開出願番号）：特開平11-039887
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 書き込みおよび消去時間を短縮でき、書き込みおよび消去スピードの向上を実現できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 書き込み時に書き込み対象メモリセルに一回目が幅の長い書き込みパルスを印加し、2回目以降の書き込みにおいて、一回目より電圧レベルが大きく、幅が短い書き込みパルスを印加する。書き込みパルス印加後しきい値電圧の検証を行い、メモリセルのしきい値電圧Vthを検出し、所定の書き込みレベルVTHに達したか否かを判定し、判定結果に応じて書き込み終了または続行を決定する。これにより、メモリ全体の書き込みおよび消去時間を短縮でき、従来のISPP法による書き込みに較べて、さらに高速な書き込みおよび消去を実現できる。
請求項（抜粋）：
複数のパルスからなる書き込みまたは消去信号を印加し、電荷蓄積層に対して電荷の授受を行うことにより、しきい値電圧を制御し、しきい値電圧に応じた情報を保持する記憶素子を有する不揮発性半導体記憶装置であって、上記書き込みまたは消去信号における一回目のパルスの電圧を初期電圧レベル、パルス幅を第1の幅にそれぞれ設定し、2回目以降のパルスの電圧を上記初期電圧レベルより大きく、パルス幅を上記第1の幅より短く設定する制御手段を有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C 17/00 611 E
, G11C 17/00 612 E
, G11C 17/00 622 E
