特許

J-GLOBAL ID：200903035716738551

多結晶シリコン膜の成長方法

発明者： 竹井 美智子 ,  原 明人 ,  三島 康由
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-094195
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297621
出願日： 1998年04月07日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 多結晶シリコン膜の成長方法に関し、後の工程において影響与えないように結晶成長核となる物質を導入し、短時間のレーザ光照射によって高品質の多結晶シリコン膜を得る。【解決手段】 透明基板1上に非単結晶シリコン膜2を成膜したのち、非単結晶シリコン膜2の表面にシリコンより低融点の部材3を密着させ、レーザ光4を照射することによって非単結晶シリコン膜2を多結晶化する。

請求項（抜粋）：

透明基板上に非単結晶シリコン膜を成膜したのち、前記非単結晶シリコン膜の表面にシリコンより低融点の部材を密着させ、レーザ光を照射する工程を有することを特徴とする多結晶シリコン膜の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 多結晶シリコン-ゲルマニウム薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-103641   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-275641
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-240179   出願人：シャープ株式会社