半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-327889
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186085
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】拡散層の接合リーク電流の増大,接合耐圧の劣化を抑制できるコバルト・サリサイド構造のMOS型半導体装置の製造方法を提供する。【構成】真空装置中で水素プラズマによりゲート電極104上面およびN+ 型拡散層107表面の自然酸化膜を除去し、さらに、真空を破ることなく、ビス・メチル・シクロペンタ・ジエニル・コバルトを気化させ,このガスを熱分解するCVD法により、コバルト膜108を形成する。

請求項（抜粋）：

一導電型のシリコン基板表面の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成し、該シリコン基板表面の素子形成領域にゲート酸化膜を形成し、多結晶シリコン膜からなるゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の側面に絶縁膜からなるサイドウォール・スペーサを形成する工程と、前記素子形成領域の所要の領域に逆導電型の拡散層を形成する工程と、真空装置中において、前記拡散層表面および前記ゲート電極表面の自然酸化膜を除去する工程と、真空を破ることなく、コバルト有機化合物を気化させてこのガスを熱分解する化学的気相成長により、前記拡散層,前記ゲート電極,前記サイドウォール・スペーサおよび前記フィールド酸化膜の表面にコバルト膜を形成する工程と、真空を破ることなく第1の熱処理を行ない、前記拡散層および前記ゲート電極表面に選択的にコバルトシリサイド膜を形成する工程と、未反応の前記コバルト膜を選択的に除去する工程と、前記第1の熱処理より高い温度で第2の熱処理を行ない、前記コバルトシリサイド膜をコバルトジシリサイド(CoSi2 )膜に変換する工程と、前記シリコン基板表面上に層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜に前記拡散層,前記ゲート電極に達するコンタクト孔を形成し、該コンタクト孔を介して該拡散層,該ゲート電極に接続される金属配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , C30B 29/28 , H01L 29/78 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-234062
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-272967 出願人：川崎製鉄株式会社
特開平2-308569

全件表示

前のページに戻る