特許
J-GLOBAL ID:200903035769027983

分子状汚染制御システム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外6名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-513670
公開番号(公開出願番号):特表2001-500669
出願日: 1997年08月26日
公開日(公表日): 2001年01月16日
要約:
【要約】ここに開示する分子汚染を制御するためのシステムおよび方法は、SMIFポッドを、所定レベルの相対湿度、酸素または粒状物質にまでパージすることを可能とする。該SMIFポッドは、清浄な、乾燥したガス状作動流体を供給するための、チェックバルブとフィルタとのアセンブリーを含む導入口を含み、該SMIFポッド中に含まれる材料近傍の水分、酸素および粒状物質の含有率を低ベルに維持する。同様にチェックバルブとフィルタとのアセンブリーを含む、該SMIFポッドの排出口は、排気システムと接続されている。該SMIFポッド内部のパージガスは、1以上のノズルをもつ塔により導いて、該ポッド内部での層流の生成を促進することができ、また該導入塔と同様の機能を有する1以上の排出塔を設けることもできる。該パージガスは、乾燥剤に暴露することにより、また約100°C〜約120°Cの範囲の温度に加熱することによって乾燥することができ、またSMIFポッドに導入する前またはその後に、ベースライン成分のレベルをテストすることができる。多数のSMIFポッドを、単一の汚染制御基本ユニットによりパージすることもできる。
請求項(抜粋):
半導体製造材料用の環境を、相対湿度、酸素および粒状物質の所定のレベルまでパージするためのシステムであって、 半導体製造材料用のチャンバーを画成するハウジングを有するモジュラーアイソレーションカプセルと、ここで該ハウジングはベースを含み、 該ベース内に配置された、ガス状作動流体を、該モジュラーアイソレーションカプセルに収容し、該モジュラーアイソレーションチャンバーを該ガス状作動流体でパージするための導入口と、ここで該導入口はチェックバルブおよびフィルタアセンブリーとを含み、該アセンブリーは該ガス状作動流体の該モジュラーアイソレーションカプセルへの一方向流動を可能とし、かつ該モジュラーアイソレーションカプセルに収容される該ガス状作動流体を濾過し、 該ベース内に設けられた、該モジュラーアイソレーションカプセルから、該ガス状作動流体を分離するための排出口と、ここで該排出口は、チェックバルブアセンブリーを含み、該アセンブリーは、該モジュラーアイソレーションカプセルから分離される該ガス状作動流体の一方向流動を可能とし、 該モジュラーアイソレーションカプセルをパージするためのガス状作動流体源と、 該ガス状作動流体源と流体接続状態にある、ガス状作動流体供給口を有する、分子汚染制御基本アセンブリーとを含み、該基本アセンブリーのガス状作動流体供給口は、該モジュラーアイソレーションカプセルの導入口と気密流体接続状態で嵌合するようになっており、かつ該分子汚染制御基本アセンブリーは、該モジュラーアイソレーションカプセルの排出口と気密流体接続状態で嵌合するようになっている基本アセンブリー排出口を有している、ことを特徴とする、上記システム。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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