特許
J-GLOBAL ID：200903035778841057

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
秋元 健吾

秋元 健吾 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-031749
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235873
出願日： 2008年02月13日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】信頼性の向上した半導体装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】ゲート電極と重畳し、該重畳領域の外側に不純物領域が形成された半導体層と、半導体層のゲート電極が設けられた側と同じ側の面に設けられ、不純物領域と一部が接する第1導電層と、ゲート電極及び第1導電層の上に設けられた絶縁層と、該絶縁層に形成され、第1導電層と少なくとも一部が重畳する開口を介して第1導電層と接する第2導電層と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と重畳し、前記重畳領域の外側に不純物領域が形成された半導体層と、 前記半導体層の前記ゲート電極と同じ側の面に設けられ、前記不純物領域と一部が接する第1導電層と、 前記ゲート電極及び前記第1導電層の上に設けられた絶縁層と、 前記絶縁層に形成され、且つ前記第1導電層と少なくとも一部が重畳する開口を介して、前記第1導電層と接する第2導電層と、 を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28
FI (6件)：
H01L29/78 616S ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 616T ,  H01L21/28 301S
Fターム (161件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD20 ,  4M104DD23 ,  4M104DD26 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF08 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH03 ,  4M104HH15 ,  5F110AA03 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110BB08 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC06 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL14 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM03 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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