特許

J-GLOBAL ID：200903035822629362

化学的・機械的な研磨方法及びその装置並びに半導体装置の製造方法

発明者： 大川 哲男 ,  西口 隆 ,  佐藤 秀己 ,  小島 弘之 ,  漆原 真理子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148904
公開番号（公開出願番号）：特開平10-000553
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は、半導体装置の高信頼化及び高集積化を図ることができるようにした半導体装置の化学的・機械的な研磨加工方法及びその装置並びに製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、インプロセスで被加工物の外周の研磨パッドを加圧して研磨圧力分布を改善し、また研磨パッドを目たてて被加工物(層間絶縁膜など)の厚さを外周部まで一定にする化学的・機械的な研磨加工である。

請求項（抜粋）：

基板の外周に隣接して設置した砥石を研磨パッド面に押圧し、前記基板上の絶縁膜表面に対して化学的・機械的な研磨加工を行うことを特徴とする化学的・機械的な研磨加工方法。

IPC (2件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321

FI (2件)：

B24B 37/00 F ,  H01L 21/304 321 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ウエハ保持具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-290204   出願人：住友金属工業株式会社
• 研磨装置およびこれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-153003   出願人：ソニー株式会社