特許
J-GLOBAL ID：200903035823524653
共注入と熱アニールによって特性の改善された薄層を得るための方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-521623
公開番号（公開出願番号）：特表2007-500435
出願日： 2004年07月29日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
本発明は、基板上に薄い半導体材料層を含む構造を製造する方法に関し、この方法は、薄層がそこから作られるべきドナー基板の表面下に、ドナー基板の厚さ内に脆化領域を作り出すために、イオン種が注入されるステップと、注入をうけたドナー基板の表面が、支持基板に密着して配置されるステップと、ドナー基板が前記脆化領域において、ドナー基板の一部を支持基板上に転写するために且つ支持基板上に薄層を形成するために、剥離されるステップとを含む。本発明は、注入ステップが、剥離後得られる構造における低い周波の粗さを最小化するために、少なくとも2つの異なる原子のイオン種の共注入を含み、この方法が、仕上げステップも含み、この仕上げステップは、剥離後得られる構造における高い周波の粗さを最小化するために、少なくとも1つの急速熱アニール工程を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体材料の薄層を含む構造を製造する方法であって、
・前記薄層がそれから作られるべきドナー基板の表面の下にイオン種の注入を実施し
て、それにより前記ドナー基板の厚さ内に脆化領域を形成し、
・前記ドナー基板が注入をうけた後、支持基板に密着して前記ドナー基板の前記表面を
配置し、
・前記脆化領域で前記ドナー基板を剥離して、前記支持基板上に前記ドナー基板の一部
分を転写して前記支持基板上に前記薄層を形成する、
段階を含み、
・前記注入の段階が少なくとも2つの異なる原子のイオン種の共注入を実施し、それに
よって剥離後得られる前記構造のレベルで低い周波の粗さを最小にし、
・さらに前記方法が、仕上げステップを含み、前記仕上げステップは少なくとも1つの
急速熱アニール工程を含み、それによって剥離後得られる構造のレベルで高い周波の
粗さを最小化する、
ことを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/265
H01L27/12 B
, H01L21/265 Q
, H01L21/265 F
, H01L21/265 602B
