特許

J-GLOBAL ID：200903035831703613

半導体装置およびその製造方法

発明者： 宇田 啓一郎 ,  齊藤 晶 ,  太田 賢司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-216624
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031790
出願日： 2001年07月17日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 モノリシックのOEIC構造を有して安価に製造でき、信号伝送効率が良好な半導体装置を提供すること。【解決手段】 SOI基板のSOI層13に、半導体シリサイド微粒子を含む発光素子601、発光素子601駆動用のMOSFET604、半導体シリサイド微粒子を含む受光素子602、受光素子602が受光した光信号を電気信号に変換するMOSFET606、光導波路633を形成する。MOSFET601がオンになると、発光領域614が発光し、この光は、シリコン酸化膜で囲まれた導波路633を経由して、受光素子601に受け取られ、MOSFET602をオンにする。発光素子601および受光素子602は半導体シリサイド微粒子を含むので、良好な発光効率および受光効率を有する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜と、この絶縁膜上に位置するシリコン結晶層とを備えるSOI基板と、上記SOI基板のシリコン結晶層に形成されて、半導体シリサイドの微粒子を備える発光素子と、上記シリコン結晶層に形成されて、半導体シリサイドの微粒子を備える受光素子と、上記発光素子から放出された光を上記受光素子に導く導波路とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/15 ,  H01L 21/265 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

FI (6件)：

H01L 27/15 D ,  H01L 27/15 B ,  H01L 27/15 C ,  H01L 33/00 A ,  H01L 21/265 P ,  H01L 31/10 A

Fターム (9件)：

5F041CA24 ,  5F041CA46 ,  5F049MA03 ,  5F049MA04 ,  5F049MB01 ,  5F049QA08 ,  5F049RA07 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-140999   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 金属シリサイド発光材料およびその製造方法並びにこれを用いた発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-336676   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 半導体レーザ装置及びそれを用いた光伝送装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-118934   出願人：株式会社日立製作所