特許
J-GLOBAL ID:200903000900178358
基板処理方法および基板処理装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-357599
公開番号(公開出願番号):特開2001-176855
出願日: 1999年12月16日
公開日(公表日): 2001年06月29日
要約:
【要約】【課題】 エッチング後の基板からレジスト層およびポリマー層を短時間で、しかも煩雑な処理を伴うことなく除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。【解決手段】 エッチング後の基板Wからレジスト層3およびポリマー層5を除去する基板処理方法であって、基板W上に存在するレジスト層3およびポリマー層5の表面部分6を親水性にする第1工程と、その後処理液によりレジスト層3およびポリマー層6を除去する第2工程とを具備する。
請求項(抜粋):
エッチング後の基板からレジスト層およびポリマー層を除去する基板処理方法であって、基板上に存在するレジスト層およびポリマー層の表面部分を親水性にする第1工程と、その後処理液によりレジスト層およびポリマー層を除去する第2工程とを具備することを特徴とする基板処理方法。
IPC (3件):
H01L 21/3065
, G03F 7/42
, H01L 21/027
FI (3件):
G03F 7/42
, H01L 21/302 H
, H01L 21/30 572 A
Fターム (32件):
2H096AA25
, 2H096HA11
, 2H096LA01
, 2H096LA02
, 2H096LA03
, 2H096LA06
, 2H096LA07
, 2H096LA08
, 2H096LA09
, 5F004AA16
, 5F004BA11
, 5F004BB18
, 5F004BB25
, 5F004BB26
, 5F004BC03
, 5F004BC05
, 5F004BC06
, 5F004BD01
, 5F004CA04
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA26
, 5F004DB26
, 5F004EA38
, 5F004EB08
, 5F004FA08
, 5F046MA01
, 5F046MA02
, 5F046MA11
, 5F046MA12
, 5F046MA13
, 5F046MA17
引用特許:
審査官引用 (7件)
-
プラズマ処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-237034
出願人:株式会社東芝
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アッシング方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-332014
出願人:ソニー株式会社
-
アッシング方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-255564
出願人:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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