特許

J-GLOBAL ID：200903035847578800

半導体製造プロセス用ドライエッチング残渣除去液

発明者： 大串 建 ,  須賀 重政 ,  加門 茂 ,  金子 紀男 ,  山本 博正 ,  平塚 勝大
出願人/特許権者： 岸本産業株式会社 ,  フアインポリマーズ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-339155
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142461
出願日： 2001年11月05日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 集積回路製造プロセス中、Cu配線を形成する工程にて、絶縁膜をドライエッチングした際に生成するドライエッチング残渣を、Cuや絶縁膜の腐食や変質を生起することなく、低温かつ短時間にて除去可能とし、かつ危険物・劇毒物を含まないか、極少量しか含まない環境負荷の少ない薬液である除去剤を提供する。【解決手段】 高純度リン酸アンモニウム水溶液などの緩衝溶液にHS-CH2 基を有する還元性化合物、好ましくはシステインまたはシステイン誘導体を溶解させた薬液を調整し、これにより、水中で容易に酸化され、腐食してしまうCuを腐食することなく、ドライエッチング残渣を低温短時間にて除去することが可能となり、半導体デバイスのスループット、および歩留まりを格段に向上させることが可能となるだけでなく、危険物や劇、毒物を殆ど含まないので、廃棄時の処理や取扱いが極めて容易になる。

請求項（抜粋）：

リン酸濃度が1〜30質量%であるリン酸アンモニウム水溶液に対し、HS-CH2 基を有する還元性化合物を0.1〜5質量%含有し、かつpH1〜10であるドライエッチング残渣除去液。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 A

Fターム (21件)：

5F004AA09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK33 ,  5F033NN17 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033TT04 ,  5F033XX21 ,  5F043AA01 ,  5F043AA26 ,  5F043AA37 ,  5F043BB27 ,  5F043BB28 ,  5F043DD13 ,  5F043DD15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 銀製品の変色皮膜除去剤及び除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-175181   出願人：株式会社大和化成研究所
• 徐放性製剤およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-172108   出願人：武田薬品工業株式会社
• レジスト残渣除去剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-334202   出願人：岸本産業株式会社