特許
J-GLOBAL ID:200903035904951165
磁気抵抗素子及び磁気メモリ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (22件):
鈴江 武彦
, 蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 勝村 紘
, 橋本 良郎
, 風間 鉄也
, 河井 将次
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
, 市原 卓三
, 山下 元
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-084938
公開番号(公開出願番号):特開2009-239120
出願日: 2008年03月27日
公開日(公表日): 2009年10月15日
要約:
【課題】 磁化反転の際の反転電流密度のばらつきを低減する。【解決手段】 磁気抵抗素子10は、(001)面に配向した立方晶構造又は正方晶構造を有する下地層12と、下地層12上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ(001)面に配向するfct(face-centered tetragonal)構造を有する記録層13と、記録層13上に設けられた非磁性層14と、非磁性層14上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する参照層15とを含む。下地層12の膜面内方向の格子定数a1及び記録層13の膜面内方向の格子定数a2は、記録層13のバーガースベクトルの大きさb、記録層13の弾性定数ν、記録層13の膜厚hcとすると、│√2×a1/2-a2│/a2<b×{ln(hc/b)+1}/{2π×hc×(1+ν)}の関係を満たす。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
(001)面に配向した立方晶構造又は正方晶構造を有する第1の下地層と、
前記第1の下地層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ(001)面に配向するfct(face-centered tetragonal)構造を有する第1の磁性層と、
前記第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、
前記第1の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する第2の磁性層と、
を具備し、
前記第1の下地層の膜面内方向の格子定数a1及び前記第1の磁性層の膜面内方向の格子定数a2は、前記第1の磁性層のバーガースベクトルの大きさb、前記第1の磁性層の弾性定数ν、前記第1の磁性層の膜厚hcとすると、
│√2×a1/2-a2│/a2<b×{ln(hc/b)+1}/{2π×hc×(1+ν)}
の関係を満たすことを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (7件):
H01L 43/08
, H01L 43/10
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01F 10/16
, H01F 10/26
, G11C 11/15
FI (7件):
H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, H01L43/10
, H01L27/10 447
, H01F10/16
, H01F10/26
, G11C11/15 112
Fターム (48件):
4M119AA06
, 4M119AA08
, 4M119BB01
, 4M119CC05
, 4M119DD05
, 4M119DD06
, 4M119DD07
, 4M119DD09
, 4M119DD17
, 4M119DD33
, 4M119DD45
, 4M119EE23
, 4M119EE27
, 4M119FF05
, 4M119FF15
, 4M119FF17
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049BA06
, 5E049CB01
, 5E049CB02
, 5F092AA08
, 5F092AA15
, 5F092AB08
, 5F092AC12
, 5F092AD23
, 5F092AD25
, 5F092BB09
, 5F092BB12
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB43
, 5F092BB55
, 5F092BC03
, 5F092BC07
, 5F092BC12
, 5F092BC13
, 5F092BC18
, 5F092BE04
, 5F092BE06
, 5F092BE12
, 5F092BE21
, 5F092BE27
引用特許:
出願人引用 (2件)
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米国特許第6,256,223号明細書
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磁気記録媒体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-375476
出願人:株式会社東芝
審査官引用 (3件)
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