特許
J-GLOBAL ID:200903035904951165

磁気抵抗素子及び磁気メモリ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (22件): 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-084938
公開番号(公開出願番号):特開2009-239120
出願日: 2008年03月27日
公開日(公表日): 2009年10月15日
要約:
【課題】 磁化反転の際の反転電流密度のばらつきを低減する。【解決手段】 磁気抵抗素子10は、(001)面に配向した立方晶構造又は正方晶構造を有する下地層12と、下地層12上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ(001)面に配向するfct(face-centered tetragonal)構造を有する記録層13と、記録層13上に設けられた非磁性層14と、非磁性層14上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する参照層15とを含む。下地層12の膜面内方向の格子定数a1及び記録層13の膜面内方向の格子定数a2は、記録層13のバーガースベクトルの大きさb、記録層13の弾性定数ν、記録層13の膜厚hcとすると、│√2×a1/2-a2│/a2<b×{ln(hc/b)+1}/{2π×hc×(1+ν)}の関係を満たす。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
(001)面に配向した立方晶構造又は正方晶構造を有する第1の下地層と、 前記第1の下地層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ(001)面に配向するfct(face-centered tetragonal)構造を有する第1の磁性層と、 前記第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、 前記第1の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する第2の磁性層と、 を具備し、 前記第1の下地層の膜面内方向の格子定数a1及び前記第1の磁性層の膜面内方向の格子定数a2は、前記第1の磁性層のバーガースベクトルの大きさb、前記第1の磁性層の弾性定数ν、前記第1の磁性層の膜厚hcとすると、 │√2×a1/2-a2│/a2<b×{ln(hc/b)+1}/{2π×hc×(1+ν)} の関係を満たすことを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (7件):
H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/26 ,  G11C 11/15
FI (7件):
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/16 ,  H01F10/26 ,  G11C11/15 112
Fターム (48件):
4M119AA06 ,  4M119AA08 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD07 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5E049CB02 ,  5F092AA08 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB09 ,  5F092BB12 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BE04 ,  5F092BE06 ,  5F092BE12 ,  5F092BE21 ,  5F092BE27
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 米国特許第6,256,223号明細書
  • 磁気記録媒体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-375476   出願人:株式会社東芝
審査官引用 (3件)

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