特許
J-GLOBAL ID：200903055627907340

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置

発明者：
永瀬 俊彦

永瀬 俊彦 について

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吉川 将寿

吉川 将寿 について

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北川 英二

北川 英二 について

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中山 昌彦

中山 昌彦 について

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甲斐 正

甲斐 正 について

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岸 達也

岸 達也 について

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與田 博明

與田 博明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-172845
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142364
出願日： 2006年06月22日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】メモリセルを微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を保ち、大容量化を実現する。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向に向く第1の磁化22を有する固定層12と、膜面に対して垂直方向に向く第2の磁化21を有し、スピン偏極電子の作用により第2の磁化21の方向が反転可能な記録層11と、固定層12と記録層11との間に設けられ、固定層12に対向する第1の面と記録層11に対向する第2の面とを有する非磁性層13とを具備し、記録層11の飽和磁化Msは、書き込み電流密度をJw、記録層11の膜厚をt、定数をAとするとき、0≦Ms<√{Jw/(6πAt)}の関係を満たし、Aはg’×e・α/(h/2π×g)、g’はg係数、eは電気素量、αはギルバートのダンピング定数、hはプランク定数、gは第1及び第2の磁化21,22が平行に配列しているときのスピントランスファーの効率である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
スピン偏極したスピン偏極電子を磁性体に流すことで情報が記録される磁気抵抗効果素子であって、 磁性材料からなり、膜面に対して垂直方向に向く第1の磁化を有する第1の固定層と、 磁性材料からなり、膜面に対して垂直方向に向く第2の磁化を有し、前記スピン偏極電子の作用により前記第2の磁化の方向が反転可能な記録層と、 前記第1の固定層と前記記録層との間に設けられ、前記第1の固定層に対向する第1の面と前記記録層に対向する第2の面とを有する第1の非磁性層と を具備し、 前記記録層の飽和磁化Msは、書き込み電流密度をJw、前記記録層の膜厚をt、定数をAとするとき、0≦Ms<√{Jw/(6πAt)}の関係を満たし、 Aはg’×e・α/(h/2π×g)、g’はg係数、eは電気素量、αはギルバートのダンピング定数、hはプランク定数、gは前記第1及び第2の磁化が平行に配列しているときのスピントランスファーの効率であることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82
FI (4件)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z
Fターム (38件)：
4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119KK04 ,  4M119KK06 ,  5F092AA08 ,  5F092AA12 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092BB10 ,  5F092BB12 ,  5F092BB17 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC32 ,  5F092BC33 ,  5F092BC46 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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