特許

J-GLOBAL ID：200903035937255482

単層カーボンナノチューブの製造方法

発明者： 齋藤 弥八
出願人/特許権者： 伊勢電子工業株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-219005
公開番号（公開出願番号）：特開2001-048510
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：

【要約】【課題】 単層カーボンナノチューブの直径を制御して製造する。【解決手段】 密閉容器101を真空に排気したのち、この密閉容器101中に不活性ガスを導入して所望の直径が得られる圧力に保ち、その密閉容器101中に所定の間隔で対向して配置された陰極となる炭素電極103と陽極となる所定の金属を含む炭素電極102との間に電圧を印加してアーク放電を発生させるようにした。

請求項（抜粋）：

不活性ガス中で所定の金属と炭素とを加熱し蒸発させて単層カーボンナノチューブを生成する単層カーボンナノチューブの製造方法において、生成する前記単層カーボンナノチューブの直径に対応して前記不活性ガスの圧力を設定することを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法。

IPC (2件)：

C01B 31/02 101 ,  B01J 19/08

FI (3件)：

C01B 31/02 101 F ,  B01J 19/08 J ,  B01J 19/08 C

Fターム (9件)：

4G046CA00 ,  4G046CC02 ,  4G075AA23 ,  4G075BB02 ,  4G075CA17 ,  4G075CA63 ,  4G075CA65 ,  4G075EB01 ,  4G075EC21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• カ-ボンナノチュ-ブの製造方法および製造用触媒
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-205447   出願人：昭和電工株式会社
• 単原子層カーボンナノチューブの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-093065   出願人：三菱化学株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• High yield of single-wall carbon nanotubes by arc discharge using Rh-Pt mixed catalysts