特許
J-GLOBAL ID：200903049614852296

カ-ボンナノチュ-ブの製造方法および製造用触媒

発明者：
齋藤 弥八

齋藤 弥八 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-205447
公開番号（公開出願番号）：特開2000-095509
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2000年04月04日
要約：
【要約】【課題】 直線状の単層カーボンナノチューブを効率よく製造する。【解決手段】 本発明の方法では、炭素蒸気と、ルテニウム、ロジウム、パラジウムおよび白金のうち少なくとも2種を含む非磁性遷移金属とを接触させて、カーボンナノチューブを気相成長させる。例えば、炭素及び前記非磁性遷移金属を含有する棒状の陽極10の先端と、棒状の陰極8の先端とを対向させ、これらの間でアーク放電を行うことにより、炭素蒸気と非磁性遷移金属元素の微粒子を発生させ、陰極8の基端部にカーボンナノチューブを析出させる。アーク放電は、不活性ガスあるいは、水素ガスを含んだ不活性ガスが50〜1500Torrの圧力で満たされた反応容器1内で行う。
請求項（抜粋）：
炭素蒸気と、ルテニウム、ロジウム、パラジウムおよび白金のうち少なくとも2種を含む非磁性遷移金属とを接触させて、カーボンナノチューブを成長させる工程を具備することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
IPC (6件)：
C01B 31/02 101 ,  B01J 23/40 ,  B01J 23/44 ,  B01J 23/46 301 ,  B01J 23/46 311 ,  D01F 9/127
FI (6件)：
C01B 31/02 101 F ,  B01J 23/40 M ,  B01J 23/44 M ,  B01J 23/46 301 M ,  B01J 23/46 311 M ,  D01F 9/127
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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