半導体基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-190611
公開番号（公開出願番号）：特開2007-274011
出願日： 2007年07月23日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：

【課題】任意の大面積の絶縁膜上に結晶性及び均一性の良いシリコン薄膜を形成することが可能な半導体基板の製造方法、及び、この半導体基板を用いて高性能な半導体素子を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に絶縁膜(基体3)を介して形成された非晶質若しくは多結晶のシリコン層に矩形状の紫外線ビームをパルス状にて照射することで、凹凸のある結晶化シリコン膜(シリコン薄膜5)を形成し、研磨を行うことで、当該結晶化シリコン膜の表面状態を平坦化する工程とを有し、紫外線ビーム照射位置の移動量と、紫外線ビームの幅に対する移動量の割合を適切な値に設定することで、格子状に配列した略矩形のシリコン単結晶粒子群からなる結晶化シリコン膜を形成することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に絶縁膜を介して形成された非晶質若しくは多結晶のシリコン層に矩形状の紫外線ビームをパルス状にて照射することで、凹凸のある結晶化シリコン膜を形成する工程と、前記結晶化シリコン膜に研磨を行うことで、当該結晶化シリコン膜の表面状態を平坦化する工程とを有する半導体基板の製造方法であって、前記結晶化シリコン膜を形成する工程では、紫外線ビームの照射完了から次の紫外線ビームの照射開始までの間における紫外線ビーム照射位置の移動量を4μm以下とし、前記紫外線ビームの移動方向に沿って測った紫外線ビームの幅に対する前記移動量の割合を0.1%以上1%以下に設定することで、格子状に配列した略矩形のシリコン単結晶粒子群からなる前記結晶化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L21/20 , H01L29/78 627G , H01L29/78 627A , H01L29/78 618Z

Fターム (45件)：

5F110AA18 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110BB07 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110NN02 , 5F110NN62 , 5F110NN66 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F152AA07 , 5F152AA13 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC08 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CE04 , 5F152CE05 , 5F152CE14 , 5F152DD02 , 5F152FF03 , 5F152FG04 , 5F152FG08 , 5F152FG18 , 5F152FG23 , 5F152FH02 , 5F152FH03 , 5F152FH04 , 5F152FH05

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭59-138329
半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-064036 出願人：ソニー株式会社
薄膜半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-086458 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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