特許
J-GLOBAL ID：200903069751128741

半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
野口 隆

野口 隆 について

, 
大久保 安教

大久保 安教 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-064036
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261799
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 任意の大面積の絶縁膜上に結晶性及び均一性の良いシリコン薄膜を形成することが可能な半導体基板の製造方法、及び、この半導体基板を用いて高性能な半導体素子を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、絶縁膜3上に形成された非晶質若しくは多結晶のシリコン層5に紫外線ビームをパルス状にて照射し、(100)面方位に制御され、結晶粒5aが碁盤の目状に配列し各々の粒が正方形に近い多結晶シリコン膜5を該絶縁膜3上に形成する工程と、この多結晶シリコン膜5の表面をCMP法又は機械的ポリッシングにより研磨することによって平坦化する工程と、を具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上のSi膜にエネルギービームを照射して得られる凹凸のある結晶化Si膜を得る工程と、この結晶化Si膜に研磨を行い平坦な表面状態のSi膜に仕上げる工程と、を具備した半導体基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 27/12
FI (5件)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 Z
引用特許：
審査官引用 (10件)
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