凸状パターンへのインキ層形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内田亘彦 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341333
公開番号（公開出願番号）：特開平10-181180
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月07日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、PDPや多層電極板において、凸状電極パターン上も含め基板上に転写抜けのない誘電体層を形成でき、歩留りを向上させることができ、更に、誘電体層形成層の表面平滑性に優れ、かつ膜厚が均一で分布精度の良好な層形成を可能とする凸状パターンへのインキ層形成方法の提供にある。【解決手段】本発明の転写シートは、ストライプ状の凸状パターン13を有する基板14上に、ベースフイルム11上に少なくもガラスフリットを有する無機粒子および焼成により除去される樹脂とを含有するインキ層12を有する転写シートSをそのインキ層側からラミネートし、該インキ層12を凸状パターン13を有する基板14上に転写するに際して、前記転写シートSを、凸状パターン13のストライプ方向と平行な方向にラミネートしてインキ層12を転写するものである。

請求項（抜粋）：

ストライプ状の凸状パターンを有する基板上に、ベースフイルム上に少なくもガラスフリットを有する無機粒子および焼成により除去される樹脂とを含有するインキ層を有する転写シートをそのインキ層側からラミネートし、該インキ層を凸状パターンを有する基板上に転写するに際して、前記転写シートを、凸状パターンのストライプ方向と平行な方向にラミネートしてインキ層を転写することを特徴とする凸状パターンへのインキ層形成方法。

IPC (3件)：

B41M 1/40 , H01J 9/02 , G02F 1/13 101

FI (3件)：

B41M 1/40 Z , H01J 9/02 F , G02F 1/13 101

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭62-145626
特開昭62-145626
特開平4-047639

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