特許

J-GLOBAL ID：200903035958029652

強誘電体薄膜および強誘電体半導体装置

発明者： 鮫島 克己
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310426
公開番号（公開出願番号）：特開平6-162857
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 リークが少なくて、優れた絶縁性を有する強誘電体薄膜を提供することを目的とする。【構成】 PZTの薄膜にビスマスが熱拡散、スパッタリング、またはイオンインプランテーションにより添加されているため、PZT薄膜のリークが減少し、優れた絶縁性を示す。ビスマス添加PZT薄膜を用いた強誘電体メモリでは、確実に電荷が保持されるため装置の信頼性が高く、しかも低い消費電力で作動する。

請求項（抜粋）：

トリウム、アンチモン、タンタル、ビスマス、タングステン、亜鉛、ニオブの一または二以上の物質を添加したことを特徴とするペロブスカイト形強誘電体薄膜。

IPC (7件)：

H01B 17/62 ,  H01B 3/00 ,  H01G 4/06 102 ,  H01G 4/12 391 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/10 451

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜容量素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-257824   出願人：株式会社東芝
• 強誘電体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-001444   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭58-194206