特許

J-GLOBAL ID：200903035964621920

プラズマCVD装置

発明者： 新井 進 ,  森 勝彦 ,  菊池 正志 ,  清水 康男 ,  小形 英之
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148249
公開番号（公開出願番号）：特開平8-319570
出願日： 1995年05月22日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】[目的] シャワープレートを容易に、かつ短時間で交換し得るプラズマCVD装置を提供すること。[構成] 真空チャンバ19の壁部材を兼ねる電極フランジ11の大気側に、エアシリンダ2を取り付け、そのピストンに直結され電極フランジ11を貫通して真空側のシャワープレート13に達する長さのロッド3の先端部にシャワープレート13のフック14を嵌合させる固定交換機構1を設ける。ロッド3によってシャワープレート13を電極フランジ11へ引き寄せて固定し、電極フランジ11から離隔させて交換する。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内に被処理体をセットし、プラズマ励起用の電極に取付けられた多数の開孔を有するシャワープレートを通して反応ガスを流し込み、プラズマを励起させて前記被処理体に薄膜を形成させるプラズマCVD装置において、大気側に前記反応ガスの導入パイプを備え真空側に前記シャワープレートが固定される前記電極部材の大気側に、前記シャワープレートを前記電極部材へ引き寄せて固定し、前記電極部材から離隔させて交換するシャワープレート固定交換機構が設けられていることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (6件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (6件)：

C23C 16/44 D ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体用製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066069   出願人：日本電気株式会社
• プラズマCVD装置、およびプラズマCVDによる薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-137255   出願人：日本真空技術株式会社