特許
J-GLOBAL ID：200903035996981898
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-258423
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076166
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 厚み方向及び平面方向サイズの縮小と、コスト低減とを可能にする半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 金属平板上にエッチングによって第1の配線パターン11を形成し、その上に第1の絶縁層12、及び、第1の配線パターン11とスルーホール13を介して導通する第2の配線パターン14を形成する。半導体チップ15を第1の絶縁層12上に搭載し、チップ電極16と第2の配線パターン14とを接続した後に、封止樹脂18によって半導体チップ15及びボンディングワイア17を封止する。第1の配線パターン11を残して、半導体装置の下面から金属平板を除去し、第1の配線パターン11の下面に外部電極を構成する金属バンプ19を形成する。
請求項（抜粋）：
第1の配線パターンと、前記第1の配線パターンの上面及び側面を覆う第1の絶縁層と、該第1の絶縁層上に形成され該第1の絶縁層を貫通するスルーホールを介して前記第1の配線パターンに電気的に接続された第2の配線パターンと、前記第1の絶縁層上に搭載された半導体チップと、前記半導体チップに形成されたチップ電極と前記第2の配線パターンとを接続する接続部材と、前記半導体チップ及び接続部材を前記第1の絶縁層上に封止する封止樹脂と、前記第1の配線パターンの下面を覆う第2の絶縁層とを備えることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12
, H01L 23/12 501
H01L 23/12 501 B
, H01L 23/12 501 W
, H01L 23/12 N
, H01L 23/12 L
