特許
J-GLOBAL ID：200903056315657262
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310643
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167629
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】パッケージの剛性を保ちながら、微細なリードパターンが形成でき、コア基板を不要にして半導体装置全体を薄型化することができ、さらにコア基板の貫通スルーホールをなくすことによりリークの原因を除去して信頼性を向上させることができる、半導体装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板を封止するための封止樹脂と、この封止樹脂の下面に転写されたリードパターンと、このリードパターンの下面に形成された複数の外部電極と、から半導体装置を構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板を封止するための封止樹脂と、この封止樹脂の下面に転写されたリードパターンと、このリードパターンの下面に形成された複数の外部電極と、を含む半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/56
, H01L 23/12
, H01L 23/14
H01L 23/12 N
, H01L 23/14 R
