特許

J-GLOBAL ID：200903036016169889

固体撮像素子及びその電荷掃き捨て方法

発明者： 内藤 靖彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-261025
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078819
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】 転送レジスタの転送動作を行うことなく、信号電荷の掃き捨てを行うことができ、動作時間の短縮を図る。【解決手段】 まず、垂直転送レジスタ120の駆動電圧となるクロックパルスVφ1、Vφ2、Vφ3をローレベルに設定し、垂直転送レジスタ120内に電荷を溜りにくくかつ、暗電流の発生を防ぐ。次に、電圧パルスφSUBをオンし、素子チップ300の基板に大きな電圧をかけることにより、フォトセンサ110及び垂直転送レジスタ120の電荷を基板側に一機に排出させる。この後、メカニカルシャッタをオープンして所定期間の露光を行い、クロックパルスVφ2によってフォトセンサ110に蓄積された信号電荷を垂直転送レジスタ120に読み出す。そして、クロックパルスVφ1、Vφ2、Vφ3を作動させて、垂直転送レジスタ120による転送を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板に複数のフォトセンサと、前記フォトセンサの信号電荷を出力部に転送する転送レジスタと、前記信号電荷を電圧信号に変換する出力部とを有し、前記フォトセンサの露光によって生成される信号電荷を前記転送レジスタに読み出して出力部に転送する固体撮像素子において、前記フォトセンサの露光前に、前記転送レジスタの駆動電圧をオフした後、前記半導体基板に大電圧をかけ、フォトセンサ及び転送レジスタに貯留した信号電荷を一度に半導体基板側に掃き捨てる、ことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/148

FI (3件)：

H04N 5/335 F ,  H04N 5/335 Q ,  H01L 27/14 B

Fターム (16件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118DA40 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA13 ,  5C024BX01 ,  5C024CX32 ,  5C024CX54 ,  5C024EX01 ,  5C024GY01 ,  5C024GZ04 ,  5C024GZ20 ,  5C024HX02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-293950   出願人：ソニー株式会社
• 撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-124735   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 特開平4-266271
  
• 特開昭63-171073