マスクパターン補正方法、パターン形成方法及びフォトマスク

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-125172
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321450
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】パターン補正方法に係り、特に、光近接効果やエッチング疎密効果による寸法乖離を抑制するためのマスクパターン補正方法、パターン形成方法及びフォトマスクを提供する。【構成】基板上にパターンを投影露光する際に用いるフォトマスクのマスクパターン補正方法において、フォトマスク上に、一定の距離を有して隣接する第1のマスクパターン及び第2のマスクパターンとを形成する際に、第1のマスクパターンと第2のマスクパターンとを基板上に露光する際に生ずるシフト量と、エッチングする際に生ずるシフト量とを用いてパターン補正データを作成し、第1のマスクパターンの辺を、第1のマスクパターンと第2のマスクパターンとの距離に応じた補正量に基づいて移動する。

請求項（抜粋）：

基板上にパターンを投影露光する際に用いるフォトマスクのマスクパターン補正方法において、前記フォトマスク上に、一定の距離を有して隣接する第1のマスクパターン及び第2のマスクパターンとを形成する際に、前記第1のマスクパターンと前記第2のマスクパターンとを前記基板上に露光する際に生ずるシフト量と、エッチングする際に生ずるシフト量とを用いてパターン補正データを作成し、前記第1のマスクパターンの辺を、前記第1のマスクパターンと前記第2のマスクパターンとの距離に応じた補正量に基づいて移動することを特徴とするマスクパターン補正方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 1/00

FI (3件)：

H01L 21/30 502 P , G03F 1/00 W , H01L 21/30 502 W

引用特許：

審査官引用 (7件)

パターンマスクの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-335872 出願人：新潟沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
パターン作成方法、及びパターン作成システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-210892 出願人：株式会社ニコン
特開平2-189913

全件表示

前のページに戻る