特許
J-GLOBAL ID:200903036020770660

ネガ型フォトレジスト材料、およびそれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 若林 忠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-162716
公開番号(公開出願番号):特開平11-015159
出願日: 1997年06月19日
公開日(公表日): 1999年01月22日
要約:
【要約】【課題】 波長が180〜220nmの露光光を用いたリソグラフィーに用いられる、透明性およびエッチング耐性に優れた高感度のネガ型フォトレジスト材料を提供する。【解決手段】 一般式(1)で表される重量平均分子量が1000〜500000の重合体および露光により酸を発生する光酸発生剤を含有するネガ型フォトレジスト材料。【化1】(上式において、R<SP>1</SP> 、R<SP>3</SP> 、R<SP>5</SP> は水素原子またはメチル基、R<SP>2</SP> は有橋環式炭化水素基を有する炭素数7〜18の2価の炭化水素基、R<SP>4</SP> はエポキシ基を有する炭化水素基、R<SP>6</SP> は水素原子または炭素数1〜12の炭化水素基を表す。また、x、y及びzはそれぞれx+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0≦z<1を満たす任意の数である。)
請求項(抜粋):
一般式(1)で表される重量平均分子量が1000〜500000の重合体および露光により酸を発生する光酸発生剤を少なくとも含有することを特徴とするネガ型フォトレジスト材料。【化1】(上式において、R<SP>1</SP> 、R<SP>3</SP> 、R<SP>5</SP> は水素原子またはメチル基、R<SP>2</SP> は有橋環式炭化水素基を有する炭素数7〜18の2価の炭化水素基、R<SP>4</SP> はエポキシ基を有する炭化水素基、R<SP>6</SP> は水素原子または炭素数1〜12の炭化水素基を表す。また、x、y及びzはそれぞれx+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0≦z<1を満たす任意の数である。)
IPC (4件):
G03F 7/038 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (4件):
G03F 7/038 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
審査官引用 (3件)

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