特許
J-GLOBAL ID：200903036041765470
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241294
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082819
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【構成】多結晶Si浮遊ゲート112を形成した後、モノシランと亜酸化二窒素を含む混合ガスを原料としたLPCVD法によりSiO2 膜を形成する。本膜をアンモニア中で熱処理した膜114を不揮発性半導体記憶装置の多結晶Si層間絶縁膜に用いる。【効果】浮遊ゲート端部での電界集中効果が緩和されて、リーク電流が減少し、電荷保持特性の向上が図れる。また、従来のONO膜より低温で多結晶Si層間絶縁膜が形成できるので拡散層の不純物分布を動かすことがなく、不揮発性記憶装置の高集積化が図れる。
請求項（抜粋）：
半導体基板内にソース及びドレインとなる拡散層が存在し、上記半導体基板上に絶縁膜を介して浮遊ゲートが存在し、その上部に絶縁膜を介して制御ゲートが配置された不揮発性半導体記憶装置において、浮遊ゲートと制御ゲート間の絶縁膜が、シリコンと酸素の化学組成比が概ね1:2からなる二酸化シリコン膜からなり、上記二酸化シリコン膜中に窒素原子が導入されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 21/316 X
, H01L 21/318 B
, H01L 27/10 434
