特許

J-GLOBAL ID：200903036046382366

薄膜トランジスタ

発明者： 武田 勝利 ,  綾 洋一郎 ,  脇坂 健一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (2件)： 目次 誠 ,  宮▼崎▲ 主税
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-389846
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150635
出願日： 2003年11月19日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】 酸化亜鉛薄膜をチャネル層に用いた薄膜トランジスタにおいて、オン/オフ比及び電界効果移動度を高める。 【解決手段】 酸化亜鉛薄膜をチャネル層に用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化亜鉛薄膜からなるチャネル層の結晶面(002)の面間隔d(002)が、2.6130(Å)≦d(002)≦2.6180(Å)の範囲であることを特徴としており、好ましくは、ドレイン電流Isdの流れる方向(キャリアの移動方向)と前記チャネル層の結晶面(002)とが実質的に平行であることを特徴としている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛薄膜をチャネル層に用いた薄膜トランジスタにおいて、 前記酸化亜鉛薄膜からなるチャネル層の結晶面(002)の面間隔d(002)が、2.6130(Å)≦d(002)≦2.6180(Å)の範囲であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L29/786

FI (1件)：

H01L29/78 618B

Fターム (18件)：

5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082043   出願人：科学技術振興事業団
• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264885   出願人：科学技術振興事業団