振動型半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：五十嵐清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-093667
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283420
出願日： 1994年04月06日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】半導体基板1をエッチング加工して形成する寸法精度のよい振動型半導体素子の製造方法を提供する。【構成】第1のシリコン基板14と第2のシリコン基板15をシリコン酸化層16を介して接合一体化し、まず、第1のシリコン基板14側に固定電極部2と可動電極部3を区画する溝13や振動梁6をかたどる段差11を形成し、第2のシリコン基板15さらにシリコン酸化層16を除去して固定電極部2と可動電極部3を分離して振動型半導体素子を製造する。

請求項（抜粋）：

第1のシリコン基板と第2のシリコン基板とをエッチングストップ層を介して接合一体化し、第1のシリコン基板の表面側から異方性エッチングを行って可動電極部と固定電極部を区画する溝と、可動電極部に連接される振動梁をかたどる段差とをエッチングストップ層に達するまで加工形成し、然る後に、第2のシリコン基板の表面側からエッチングストップ層までエッチングを行って第2のシリコン基板を除去し、次に、エッチングストップ層を除去して固定電極部側と可動電極部側を分離する振動型半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/84 , G01C 19/56 , G01L 9/00 , G01P 9/04 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/306 P , H01L 21/306 E

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平3-112170
半導体式加速度センサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-084082 出願人：株式会社村田製作所
特開平1-110262

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