特許
J-GLOBAL ID:200903036054867786
ポジ型レジスト組成物
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 栗宇 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-209680
公開番号(公開出願番号):特開2004-053822
出願日: 2002年07月18日
公開日(公表日): 2004年02月19日
要約:
【課題】超LSIや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、ラインエッジラフネスが良好なポジ型レジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュード、露光マージンにも優れたポジ型レジスト組成物を提供することである。【解決手段】特定の繰り返し単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)溶剤及び(D)界面活性剤を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)溶剤及び(D)界面活性剤を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (3件):
G03F7/039
, C08F20/26
, H01L21/027
FI (3件):
G03F7/039 601
, C08F20/26
, H01L21/30 502R
Fターム (29件):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB43
, 2H025CB45
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL29P
, 4J100BA02Q
, 4J100BA11Q
, 4J100BA20R
, 4J100BC02Q
, 4J100CA01
, 4J100CA03
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100DA38
, 4J100DA39
, 4J100JA38
引用特許:
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