特許
J-GLOBAL ID：200903036073590396
絶縁基板、その製造方法およびそれを用いた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-351596
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183212
出願日： 1998年12月10日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 絶縁耐圧が高く、信頼性の高い絶縁基板を提供する。【解決手段】 絶縁基板1は重なり合う複数の絶縁性セラミックス層2a、2bと、絶縁性セラミックス層2a、2bの間に配置され、上下の絶縁性セラミックス層2a、2bを接合する絶縁性セラミックス層2a、2b以外の材料からなる中間層4と、最上段の絶縁性セラミックス層2aの表面と最下段の絶縁性セラミックス層2bの裏面にそれぞれ配置された導電層5、6とを有する。設計強度を下回るセラミックス層2a、2bが存在し、熱応力等によりその絶縁性セラミックス層2a、2bが破損して絶縁破壊に至った場合でも、他の絶縁性セラミックス層2a、2bが健全であるため、絶縁基板1に絶縁耐圧的な問題が発生しない。
請求項（抜粋）：
複数の絶縁性セラミックス層と、該複数の絶縁性セラミックス層のそれぞれの間に配置され、その上下の該絶縁性セラミックス層を互いに接合する中間層と、最上段の該絶縁性セラミックス層の表面に接合された第1の導電層と、最下段の該絶縁性セラミックス層の裏面に接合された第2の導電層と、を有することを特徴とする絶縁基板。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 23/15
, H01L 23/14
H01L 23/12 N
, H01L 23/14 C
, H01L 23/14 M
