特許

J-GLOBAL ID：200903036074444415

成膜装置の制御方法、成膜方法、成膜装置、有機EL電子デバイスおよびその制御プログラムを格納した記憶媒体

発明者： 茂山 和基
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (3件)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-254989
公開番号（公開出願番号）：特開2009-084622
出願日： 2007年09月28日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

【課題】仕事関数の低い材料を迅速に有機層と陰極との界面近傍に挿入する。【解決手段】スパッタ装置Spは、銀Agからなるターゲット材305と、処理容器外に設けられ、銀Agよりも仕事関数が小さいセシウムCsを加熱して蒸発させるディスペンサDsと、ディスペンサDsに連通し、蒸発させたセシウムCsの蒸気を、アルゴンガスをキャリアガスとして処理容器内まで搬送させる第1のガス供給管345と、処理容器内に高周波電力を供給する高周波電源360とを有する。制御器50は、高周波電力のエネルギーを用いてアルゴンガスを励起させてプラズマを生成し、生成されたプラズマによりターゲット材305から叩き出された銀Ag原子をメタル電極30として成膜する際、ディスペンサDsの温度を制御することにより成膜中のメタル電極30に混入させるセシウムCsの割合を制御する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

処理容器内にて被処理体上に形成された有機層に陰極を形成する成膜装置の制御方法であって、 前記成膜装置は、 処理容器内に設けられ、前記陰極の主原料となる第1の金属から形成されたターゲット材と、 処理容器外に設けられ、前記第1の金属よりも仕事関数が小さい第2の金属を加熱して蒸発させる蒸発源と、 前記蒸発源に連通し、前記蒸発させた第2の金属の蒸気を不活性ガスにより処理容器内まで運搬させる第1のガス供給路と、 前記処理容器内に所望のエネルギーを供給するエネルギー源と、を備え、 前記供給されたエネルギーを用いて前記第1のガス供給路から供給された前記不活性ガスを励起させてプラズマを生成し、生成されたプラズマを接触させることにより前記ターゲット材から叩き出された第1の金属のターゲット原子を陰極として成膜する際、前記成膜中の陰極に混入させる前記第2の金属の割合を制御する成膜装置の制御方法。

IPC (5件)：

C23C 14/22 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26 ,  C23C 14/34

FI (5件)：

C23C14/22 C ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z ,  C23C14/34 M

Fターム (23件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107DD26 ,  3K107DD44Y ,  3K107GG04 ,  3K107GG28 ,  3K107GG32 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA22 ,  4K029BA23 ,  4K029BB03 ,  4K029BC03 ,  4K029DB03 ,  4K029DB06 ,  4K029DB18 ,  4K029DC03 ,  4K029DC16 ,  4K029DC32 ,  4K029DC39 ,  4K029EA05 ,  4K029HA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 成膜装置および発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-045343   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 有機EL表示装置の製造装置及び製造方法並びに有機EL表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-023320   出願人：セイコーエプソン株式会社