特許
J-GLOBAL ID：200903036079884839

磁気抵抗素子および多素子型磁気抵抗素子

発明者：
平本 雅祥

平本 雅祥 について

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松川 望

松川 望 について

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小田川 明弘

小田川 明弘 について

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飯島 賢二

飯島 賢二 について

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榊間 博

榊間 博 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-306783
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118306
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 多素子型の垂直電流型磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 多素子型磁気抵抗素子100は、特定の外部磁界に対して応答する第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子101を備える多素子型磁気抵抗素子であって、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子101は、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子に流れる垂直電流106に基づいて第1および第2磁界104を発生し、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子は、前記第1および第2磁界104が前記多素子型磁気抵抗素子100のバイアス磁界として作用するように配置される。
請求項（抜粋）：
垂直電流型磁気抵抗素子と、前記垂直電流型磁気抵抗素子に電流を流入する第1導体と、前記垂直電流型磁気抵抗素子から電流を流出する第2導体とを備え、前記第1導体は、前記電流に基づいて第1磁界を発生し、前記第2導体は、前記電流に基づいて第2磁界を発生し、前記第1および第2導体は、前記第1磁界と前記第2磁界とが前記垂直電流型磁気抵抗素子のバイアス磁界として作用するように配置される磁気抵抗素子。
IPC (7件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/32
FI (8件)：
H01L 43/08 B ,  H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447
Fターム (25件)：
2G017AA01 ,  2G017AC07 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA06 ,  5D034BA08 ,  5D034BA16 ,  5D034BA18 ,  5D034BB02 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049GC01 ,  5E049HC05 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA30 ,  5F083JA60
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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