特許
J-GLOBAL ID：200903036091105918

狭分散性重合体の製造方法、狭分散性重合体及びそれのレジストへの適用

発明者：
寺川 貴清

寺川 貴清 について


出願人/特許権者：
住友化学工業株式会社

住友化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-194618
公開番号（公開出願番号）：特開2000-026535
出願日： 1998年07月09日
公開日（公表日）： 2000年01月25日
要約：
【要約】【課題】 レジスト用樹脂材料として好適な狭分散性のポリスチレン系重合体を製造し、この重合体を用いて、感度及び解像度に優れた化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 下式(I)(RはC1-12のアルキル又はC1-12のアルカノイルを表す)のスチレン誘導体をフリーラジカル開始剤及び含窒素安定フリーラジカル作用剤の存在下、リビング的にラジカル重合させ、目的の分子量まで重合が進んだ後に重合停止剤を加えて、重合体末端に結合したフリーラジカル作用剤を除去することにより、狭分散性ポリスチレン類が得られる。このポリスチレン類の-Rに相当する基を脱離させて、-O-Rの部分を水酸基とした後、酸に不安定な基でその水酸基を部分的に保護することにより、p-ヒドロキシスチレン単位とその水酸基が酸に不安定な基で保護された単位を有する共重合体が得られる。この共重合体を樹脂成分とするポジ型レジスト組成物も提供される。
請求項（抜粋）：
下式(I)(式中、Rは炭素原子数1〜12のアルキル又は全炭素原子数1〜12のアルカノイルを表す)で示されるスチレン誘導体をフリーラジカル開始剤及び含窒素安定フリーラジカル作用剤の存在下、リビング的にラジカル重合させ、目的とする分子量まで重合が進んだ後に、重合停止剤を加えて重合体末端に結合した前記安定フリーラジカル作用剤を除去することを特徴とする狭分散性ポリスチレン類の製造方法。
IPC (5件)：
C08F 12/22 ,  C08F 2/38 ,  C08F 6/00 ,  C08F 8/00 ,  G03F 7/039 601
FI (5件)：
C08F 12/22 ,  C08F 2/38 ,  C08F 6/00 ,  C08F 8/00 ,  G03F 7/039 601
Fターム (39件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025BE00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB42 ,  2H025CB51 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  4J011AA05 ,  4J011NA02 ,  4J011NA05 ,  4J011NB02 ,  4J100AB07P ,  4J100BA04H ,  4J100BA04P ,  4J100BC53H ,  4J100CA01 ,  4J100CA31 ,  4J100DA05 ,  4J100FA03 ,  4J100FA06 ,  4J100HA08 ,  4J100HA55 ,  4J100HB25 ,  4J100HB26 ,  4J100HC10 ,  4J100HC13 ,  4J100HC54 ,  4J100HC69 ,  4J100HC71 ,  4J100JA37
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM