化学機械的研磨スラリー及び研磨方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西浦 ▲嗣▼晴
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-537038
公開番号（公開出願番号）：特表2004-512681
出願日： 2001年10月09日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

本発明は、ダマシン構造の形成中にバリア層を除去するために使用する化学機械的研磨スラリーを提供する。本発明によるTスラリーは、下にあるシリコン含有誘電体層が除去される速度を抑制する薬剤を含む。現在、本発明の最も好ましい実施例では、下にあるシリコン含有誘電体層が除去される速度を抑制する薬剤はL-リシン及び/または、L-アルギニンである。また本発明は、ダマシン構造内でバリア層の化学機械的研磨中に下にあるシリコン含有誘電体層の除去速度を抑制する方法も提供する。本発明による方法は、前述の下にあるシリコンを含有した誘電体層を除去する速度を抑制する薬剤からなるスラリーを用いてバリア層を研磨することを含む。

請求項（抜粋）：

下にあるシリコン含有誘電体層が除去される速度を抑制する薬剤を含み、ダマシン構造の形成中にバリア層を除去するために用いられる化学機械的研磨スラリー。

IPC (3件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14

FI (6件)：

H01L21/304 622D , H01L21/304 622X , B24B37/00 H , C09K3/14 550D , C09K3/14 550F , C09K3/14 550Z

Fターム (5件)：

3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (2件)

化学機械的研磨系及びその使用方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-517627 出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション
停止化合物を伴う化学機械的研磨系及びその使用方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-517628 出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション

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