停止化合物を伴う化学機械的研磨系及びその使用方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-517628
公開番号（公開出願番号）：特表2003-507895
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2003年02月25日
要約：

【要約】本発明は、第1の金属層及び第2の層を有する多層基体の1又は複数の層を研磨する系を提供する。この系は、(i)液体キャリア、(ii)少なくとも1種の酸化剤、(iii)系が基体の少なくとも1つの層を研磨する速度を増加させる少なくとも1種の研磨添加剤、並びに(v)研磨パッド及び/又は研磨材を含み、研磨添加剤が、ピロリン酸塩、縮合リン酸塩、ホスホン酸及びそれらの塩、アミン、アミノアルコール、アミド、イミン、イミノ酸、ニトリル、ニトロ、チオール、チオエステル、チオエーテル、カルボチオール酸、チオカルボキシル酸、チオサリチル酸、及びそれらの混合からなる群より選択される。また本発明は、系を基体の表面に接触させること、及びこの系によって基体の少なくとも一部を研磨することを含む、基体の研磨方法を提供する。更に本発明は、(a)請求項1〜26のいずれかに記載の系を、第1の金属層に接触させること、及び(b)基体から第1の金属層の少なくとも一部が除去されるまで、第1の金属層を系で研磨することを含む、第1の金属層及び第2の層を有する多層基体の1又は複数の層を研磨する方法を提供する。

請求項（抜粋）：

(i)液体キャリア、(ii)少なくとも1種の酸化剤、(iii)系が基体の少なくとも1つの層を研磨する速度を増加させる少なくとも1種の研磨添加剤、並びに(iv)研磨パッド及び/又は研磨材を含み、前記研磨添加剤が、ピロリン酸塩、縮合リン酸塩、ホスホン酸及びそれらの塩、アミン、アミノアルコール、アミド、イミン、イミノ酸、ニトリル、ニトロ、チオール、チオエステル、チオエーテル、カルボチオール酸、カルボチオン酸、チオカルボキシル酸、チオサリチル酸、及びそれらの混合からなる群より選択される、第1の金属層及び第2の層を有する多層基体の1又は複数の層を研磨する系。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 621 , B24B 37/00 , B24D 11/00 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14

FI (6件)：

H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 621 D , B24B 37/00 H , B24D 11/00 G , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z

Fターム (12件)：

3C058AA07 , 3C058CA01 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C063AA10 , 3C063AB09 , 3C063BA16 , 3C063BB01 , 3C063BB03 , 3C063BD01 , 3C063BG03 , 3C063EE10

引用特許：

審査官引用 (8件)

銅系基板に有用な化学的・機械的研磨用スラリー
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-338809 出願人：キャボットコーポレイション
化学的・機械的研磨用の複数酸化剤スラリー
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-258500 出願人：キャボットコーポレイション
半導体ウェーハの上面を平坦化する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-547366 出願人：ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチャリング・カンパニー

全件表示

前のページに戻る