部分的に不揮発性のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-210249
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057085
出願日： 2000年07月11日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】部分的に不揮発性のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(PNDRAM)を提供すること。【解決手段】部分的に不揮発性のダイナミック・アクセス・メモリ(PNDRAM)が、複数の単一トランジスタ(1T)・セルまたは2トランジスタ(2T)・セルにより形成されるDRAMアレイを使用する。セルは不揮発性メモリとして、電気的にプログラマブルである。これにより、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)、及び電気的にプログラマブルな読出し専用メモリ(EPROM)の両方を特徴とする単一チップ設計がもたらされる。PNDRAMに統合されるDRAM及びEPROMは、製造中または市場において、いつでも容易に再構成され得る。PNDRAMは、単一チップにおいて主メモリをID、BIOS、またはオペレーティング・システム情報と結び付けるなど、複数のアプリケーションを有する。

請求項（抜粋）：

複数のセルを含む部分的に不揮発性のDRAMアレイであって、前記複数のセルの第1のサブセットがDRAMセルとして作用し、前記複数のセルの第2のサブセットがEPROMセルとして作用する、部分不揮発性DRAMアレイ。

IPC (3件)：

G11C 14/00 , G11C 16/04 , G11C 29/00 601

FI (3件)：

G11C 11/34 352 A , G11C 29/00 601 B , G11C 17/00 623 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-278764
特開平4-192463
特開平4-162665

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