特許
J-GLOBAL ID：200903036112294295

固体撮像装置及びその製造方法

発明者：
田谷 圭司

田谷 圭司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-248633
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066710
出願日： 2004年08月27日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】 半導体基板中の複数の素子層間を有効に絶縁分離する。【解決手段】 裏面照射型の固体撮像装置において、受光部側と回路側との素子分離層を所定のマスクパターンを介した酸素イオン注入と、その後の熱処理によって半導体基板中に酸化膜を形成することにより実現する。例えばSOI基板のような支持基板部(絶縁体層)の上にシリコン層を設けた半導体基板に対し、シリコン基板(表面)側から光電変換素子層、素子分離層としての酸素イオン注入層、画素トランジスタ等の回路層を順次形成し、その後、シリコン層上に配線層を形成する。そして、裏面側の絶縁体層を除去することにより、シリコン層の受光部を露出させ、薄型のシリコン基板よりなる固体撮像装置を形成できる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体基板の第1の素子層に各素子を形成する第1の素子形成工程と、 前記半導体基板の第1の素子層と異なる第2の素子層に各素子を形成する第2の素子形成工程と、 前記半導体基板の第1の素子層と第2の素子層の境界部に不純物イオンのイオン注入による素子分離層を形成する素子分離工程と、 を有することを特徴とする半導体製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/02
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H01L27/14 D ,  H01L31/02 A
Fターム (25件)：
4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CB13 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118GA02 ,  5F088AA01 ,  5F088AB03 ,  5F088BA03 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088EA07 ,  5F088EA08 ,  5F088EA11 ,  5F088EA14 ,  5F088EA16 ,  5F088GA04 ,  5F088GA09 ,  5F088KA08 ,  5F088LA03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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