特許
J-GLOBAL ID：200903036151067492
磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-205845
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032464
出願日： 2004年07月13日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】Mnの拡散を防止して、MR特性の劣化を抑制する。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、記録層30と固定層10と記録層及び固定層間に設けられたトンネル障壁層20とを有する磁気抵抗素子1を備えた磁気ランダムアクセスメモリであって、固定層は、反強磁性層12と、反強磁性層上に形成された第1の強磁性層13と、第1の強磁性層上に形成された第1の非磁性層14と、第1の非磁性層上に形成され、第1の非磁性層を介して第1の強磁性層と第1の磁気結合により磁気的に結合する第2の強磁性層15と、第2の強磁性層上に形成され、第1の非磁性層の膜厚と異なる膜厚を有する第2の非磁性層16と、第2の非磁性層上に形成され、第2の非磁性層を介して第2の強磁性層と第2の磁気結合により磁気的に結合する第3の強磁性層17とを具備する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
記録層と固定層と前記記録層及び前記固定層間に設けられたトンネル障壁層とを有する磁気抵抗素子を備えた磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記固定層は、
反強磁性層と、
前記反強磁性層上に形成された第1の強磁性層と、
前記第1の強磁性層上に形成された第1の非磁性層と、
前記第1の非磁性層上に形成され、前記第1の非磁性層を介して前記第1の強磁性層と第1の磁気結合により磁気的に結合する第2の強磁性層と、
前記第2の強磁性層上に形成され、前記第1の非磁性層の膜厚と異なる膜厚を有する第2の非磁性層と、
前記第2の非磁性層上に形成され、前記第2の非磁性層を介して前記第2の強磁性層と第2の磁気結合により磁気的に結合する第3の強磁性層と
を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 21/824
, H01L 43/08
H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA25
, 5F083JA38
, 5F083JA39
