ボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三反崎泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-008085
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264325
出願日： 2003年01月16日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】従来のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子よりも高磁気抵抗効果比および低抵抗のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】電子の鏡面反射特性に優れた鉄タンタル酸化物(FeTaO)よりなる鏡面反射層22を備えるように、ボトムSVMRセンサ素子を構成する。この鏡面反射層22の存在に基づき、従来のボトムSVMRセンサ素子と比較して抵抗が低くなり、電子の鏡面反射特性が著しく向上する。したがって、従来よりも巨大磁気抵抗効果の磁気抵抗効果比が向上し、約45Gb/in2 〜70Gb/in2 の記録密度の磁気メディアに適用可能になる。

請求項（抜粋）：

基体上に、磁気抵抗効果を高めるためのシード層を形成する第1の工程と、このシード層上に、反強磁性材料を用いて固定作用層を形成する第2の工程と、この固定作用層上に、シンセティック反強磁性被固定層を形成する第3の工程とを含むボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法であって、前記第3の工程が、前記固定作用層上に、強磁性材料を用いて第2の反平行被固定層を形成する工程と、この第2の反平行被固定層上に、非磁性結合層を形成する工程と、この非磁性結合層上に、第1の反平行被固定層を形成することにより、前記シンセティック反強磁性被固定層を完成させる工程とを含み、さらに、前記シンセティック反強磁性被固定層のうちの前記第1の反平行被固定層上に、非磁性スペーサ層を形成する第4の工程と、この非磁性スペーサ層上に、強磁性フリー層を形成する第5の工程と、この強磁性フリー層上に、非磁性層と鏡面反射層とがこの順に積層された2層構造をなすように、保護層を形成する第6の工程と、所定の強度の外部磁場中において所定の温度で全体を熱アニールすることにより、前記強磁性フリー層および前記シンセティック反強磁性被固定層を磁化する第7の工程とを含むことを特徴とするボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 43/10 , H01L 43/12

FI (6件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 43/10 , H01L 43/12

Fターム (9件)：

5D034BA03 , 5D034BA04 , 5D034BA05 , 5D034BA21 , 5D034DA07 , 5E049AC05 , 5E049BA16 , 5E049CB02 , 5E049DB12

引用特許：

出願人引用 (6件)

米国特許第6222707B1号明細書
米国特許第6175476B1号明細書
米国特許第6181534B1号明細書

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審査官引用 (5件)

スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-345433 出願人：アルプス電気株式会社
スピンバルブ型薄膜素子の製造方法及びこのスピンバルブ型薄膜素子を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-118949 出願人：アルプス電気株式会社
磁気抵抗効果膜および磁気抵抗効果型ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-199801 出願人：ティーディーケイ株式会社

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