特許
J-GLOBAL ID:200903036159351149
固体撮像装置
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-091726
公開番号(公開出願番号):特開2000-286405
出願日: 1999年03月31日
公開日(公表日): 2000年10月13日
要約:
【要約】【課題】 光電変換部に蓄積された信号電荷を低電圧駆動の読み出しトランジスタにより完全読み出しすることができ、感度の向上及び雑音の低減をはかる。【解決手段】 pウェル20の内部に設けられ、光電変換して得られた信号電荷を蓄積するn型のフォトダイオード(PD)21と、このPD21の一端に隣接してウェルの上に設けられたゲート電極22と、このゲート電極22のPD21とは反対側のウェル表面部に設けられたn型のドレイン領域23と、PD21の上部に設けられたp型の表面シールド層25とを備えた固体撮像装置において、PD21のゲート電極側の上部にPD21に接して、かつゲート電極22と一部が重なるように、n型の埋め込みゲート層24が設けられている。
請求項(抜粋):
第1導電型の半導体基板又はウェルの内部に設けられ、光電変換して得られた信号電荷を蓄積する第2導電型の光電変換部と、この光電変換部の一端に隣接して前記基板又はウェルの上に設けられたゲート電極と、このゲート電極の前記光電変換部とは反対側の前記基板又はウェルの表面部に設けられた第2導電型のドレイン領域と、前記光電変換部の前記ゲート電極側の上部に該光電変換部に接して設けられた第2導電型の埋め込みゲート層とを具備してなることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 E
Fターム (21件):
4M118AA01
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA18
, 4M118EA06
, 4M118EA14
, 4M118FA06
, 4M118FA25
, 4M118FA32
, 4M118FA33
, 4M118FA42
, 5C024AA01
, 5C024CA05
, 5C024CA12
, 5C024FA01
, 5C024GA01
, 5C024GA26
, 5C024GA42
引用特許:
前のページに戻る