特許
J-GLOBAL ID：200903036226011250
強誘電体記憶素子形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 康徳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-025709
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289794
出願日： 2002年02月01日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】本発明は強誘電体の記憶素子の形成方法に関するものであり、コンタクトを通じず直接強誘電体の上部電極に接触して電気的接続が成されるプレートライン形成方法を提供する。【解決手段】強誘電体キャパシタ形成後、絶縁膜を蒸着し、平坦化する。この際、平坦化工程はキャパシタ上部電極が露出される時まで実施され、その後、プレート電極用導電膜を形成し、パターニングして上部電極に直接接触するプレートラインを形成する。従って、プレートライン及びキャパシタ上部電極の間の安定的なコンタクト抵抗が確保できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に下部膜を形成する段階と、前記下部膜上に、前記下部膜の所定領域を通じて前記半導体基板と電気的に接続する下部電極、強誘電体膜及び上部電極を含んで構成される強誘電体キャパシタを形成する段階と、前記強誘電体キャパシタ及び前記下部膜上に上部膜を形成する段階と、前記強誘電体キャパシタの上部電極が露出される時まで前記上部膜を平坦化エッチングする段階と、前記強誘電体上部電極及び前記平坦化された上部膜上に導電膜を形成する段階と、前記導電膜をパターニングして前記強誘電体の上部電極と直接接触するプレ-トラインを形成する段階とを含むことを特徴とする強誘電体記憶素子形成方法。
Fターム (15件)：
5F083FR02
, 5F083FR03
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA43
, 5F083KA19
, 5F083MA00
, 5F083MA06
, 5F083MA18
, 5F083NA08
, 5F083PR39
, 5F083PR40
