特許
J-GLOBAL ID：200903054446561772

半導体装置

発明者：
大野 吉和

大野 吉和 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-245616
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111510
出願日： 1994年10月11日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 高誘電体のキャパシタのリーク電流を抑制する。【構成】 一方のキャパシタ用電極313 における下層電極313bの端部を上層電極313aの端部よりも内側に後退させ、下層電極313bの側面とキャパシタ用誘電膜315 とを離隔させることで、この下層電極313bの側面の部分のリーク電流を減少させる。
請求項（抜粋）：
上面および下面を有する上層電極およびこの上層電極の下面側に上記上層電極と電気的に接続されて形成され、端部が上記上層電極の端部よりも内側に形成される下層電極を有する一方のキャパシタ用電極と、上記上層電極の上面および側面に接し、上記下層電極の側面と離隔かつ対向して形成され、上記上層電極に接して形成されると多結晶構造をなし、上記下層電極に接して形成されると上記多結晶構造と異なる構造をなすキャパシタ用誘電膜と、上記キャパシタ用誘電膜を介して上記一方のキャパシタ用電極に対向して形成される他方のキャパシタ用電極とを有するキャパシタを備える半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3件)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • マイクロ電子構造体とその製造法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-196834   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド, カリフォルニアインスティチュートオブテクノロジー
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-013567   出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (2件)
  • マイクロ電子構造体とその製造法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-196834   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド, カリフォルニアインスティチュートオブテクノロジー
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-013567   出願人：日本電気株式会社

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