半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-041849
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243725
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】シリサイドと金属配線の接続構造を有する半導体装置に関し、シリサイドと金属配線の接続構造を有する半導体装置こと。【解決手段】半導体層1の第1の領域Bの表面に形成された金属シリサイドよりなる第1の導電層10bと、第1の導電層10bと半導体層1を覆う第1の絶縁膜11と、第1の絶縁膜11のうち第1の導電層10bの上に形成されたホール11bと、ホール11b内面と第1の絶縁膜11の上に沿って形成されて第1の導電膜10bに接続され且つ高融点金属シリサイド又は溶融温度1700°C以上の高融点金属よりなる第2の導電層12と、第2の導電層12の上に形成されて配線又はプラグとして用いられる第3の導電層14と、第3の導電層14と第1の絶縁膜11を覆う第2の絶縁膜18と、半導体層1の第2の領域Aの上方にあって、第2の絶縁膜18の上に形成されたキャパシタ素子Qとを含む。

請求項（抜粋）：

第1の領域で半導体層上に形成された金属シリサイド又は高融点金属よりなる第1の導電層と、前記第1の導電層と前記半導体層を覆う第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜のうち前記第1の導電層の上に形成されたホールと、前記ホール内面に沿って形成されて前記第1の導電膜に接続され且つ高融点金属シリサイド又は溶融温度1700°C以上の高融点金属からなる第2の導電層と、前記第2の導電層の上に形成されて配線又はプラグとして用いられる第3の導電層と、前記第3の導電層と前記第1の絶縁膜を覆う第2の絶縁膜と、第2の領域で前記半導体層の上方にあって、前記第2の絶縁膜の上に形成されたキャパシタ素子とを有する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/768 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/28 301 T , H01L 21/90 C , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 681 B , H01L 27/10 681 F

Fターム (74件)：

4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD23 , 4M104DD37 , 4M104DD42 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD79 , 4M104FF14 , 4M104FF22 , 4M104GG16 , 4M104HH15 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033JJ27 , 5F033JJ28 , 5F033JJ29 , 5F033JJ30 , 5F033JJ33 , 5F033KK04 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033KK29 , 5F033KK30 , 5F033MM05 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033PP20 , 5F033PP22 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ91 , 5F033QQ92 , 5F033RR04 , 5F033SS15 , 5F033VV16 , 5F033WW03 , 5F033XX09 , 5F033XX28 , 5F083AD14 , 5F083GA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA33 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA05 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR34 , 5F083PR36

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-190469 出願人：日本電気株式会社
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-172653 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-193031 出願人：三菱電機株式会社

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