特許
J-GLOBAL ID：200903036267179344
光マイクロシステム及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-533561
公開番号（公開出願番号）：特表2006-501641
出願日： 2003年09月02日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
本発明は、小型カメラまたは小型マトリクスディスプレイ用の光マイクロシステムの製造に関する。本方法では、半導体ウェハの表面に、N個のマトリクスアレイと関連する回路を一括形成してN個の同じチップ(10)を形成し、その際、各アレイの1辺に、外部との接続を行なうための接続パッド(CC)と基板(22)を使用してN個の同じ光画像形成光学構造を一括形成し、各光画像形成構造は、対応するチップ(10)を覆って該当するチップのマトリクスアレイ全体に対応する全体画像を形成するように設計し、、一括形成して半導体ウェハの正面に接近する位置に配置し、さらにウェハの厚さを貫通してコンタクトパッドに達する導電ビア(32)を形成し、これらの種々の操作に続いて、光学構造によって覆われた電子チップを備えるN個の個々の光マイクロシステムにウェハを分割する。
請求項（抜粋）：
モノリシック構造の電子マトリクスを有する光マイクロシステムの形成プロセスであって、N個のドットマトリクスアレイ(RM)及び各アレイに接続される回路を、少なくとも約百または数百ミクロンの厚さの半導体ウェハの表面に一括形成してこのウェハの上にN個の同じモノリシック電子チップ(10)を形成し、この場合、各アレイ(RM)の少なくとも1辺には、該当するチップを外部に接続する一連の電気コンタクトランド(CC)が形成され、N個の同じ画像形成光学構造を一括形成する基板が一括形成され、かつ半導体ウェハの表面に近接して接触する形に配置され、各画像形成光学構造(12)は該当するチップ(10)を覆い、かつ該当するチップのマトリクスアレイの全体に対応する全体画像を形成するように設計され、前記表面の上のコンタクトランド(CC)に達する孔(32)を半導体ウェハの裏面に、ウェハの厚さに渡って開口し、これらの孔を使用してコンタクトランドとの電気接続をウェハの裏面から形成し、そしてこれらの種々の作業の後、ウェハをN個の個々の光マイクロシステムに分割し、これらのチップの分離及びこれらのチップを覆う複数の光学構造の分離が同じ切断線(HH,VV)に沿って行なわれる、形成プロセス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 D
, G09F9/00 342Z
4M118AB01
, 4M118HA02
, 4M118HA11
, 4M118HA24
, 4M118HA25
, 4M118HA33
, 5G435AA17
, 5G435BB12
, 5G435KK05
, 5G435LL07
, 5G435LL14
