特許

J-GLOBAL ID：200903036313435660

III族窒化物半導体およびその製造方法、およびIII族窒化物半導体装置

発明者： 松井 俊之
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-345244
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174393
出願日： 1998年12月04日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】Si基板上に貫通転位の少なく、割れのない厚さ1μm 以上の厚いエピタキシャル層を有するIII 窒化物半導体とIII 窒化物半導体装置その製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に、または半導体基板上のAlx Gay In1-x-y N(但し、0≦x,y、かつ0≦x+y≦1)からなる第1の III族窒化物半導体層2b上に、マスク3mが局所的に形成されており、さらにAlx GayIn1-x-y N(但し、0≦x,y、かつ0≦x+y≦1)からなる第2の III族窒化物半導層4が積層されてなる III族窒化物半導体において、前記マスクを酸化ケイ素または窒化ケイ素より表面エネルギーの低い材料を用いて形勢する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、または半導体基板上のAlx Gay In1-x-y N(但し、0≦x,y、かつ0≦x+y≦1)からなる第1の III族窒化物半導体層上に、マスクが局所的に形成されており、さらにAlx Gay In1-x-yN(但し、0≦x,y、かつ0≦x+y≦1)からなる第2の III族窒化物半導層が積層されてなる III族窒化物半導体において、前記マスクは酸化ケイ素または窒化ケイ素より表面エネルギーの低い材料からなることを特徴とする III族窒化物半導体。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C

Fターム (15件)：

5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB04 ,  5F073CB06 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-061187   出願人：株式会社東芝
• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社
• InSb薄膜の転写形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-357049   出願人：株式会社村田製作所
• 特開昭62-109323