特許
J-GLOBAL ID：200903036314969642
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-273968
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097499
出願日： 1997年09月19日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】ヴィアホール下の金属配線の腐食状態を、非破壊的に手軽に、かつ正しく判定できるようにする半導体装置の提供。【解決手段】各検査領域1-1〜1-nには異なる径及び間隔のヴィアホール2が複数個ずつ配置されている。ホール間隔はホール密度に対応し、各検査領域内では異なる径のホール毎に一定であるが、検査領域が1-1から1-nとなるに従って大きくなるように設定されている。
請求項（抜粋）：
ウェーハ上に形成した金属配線上に、層間絶縁膜を形成し、次に、RIE(リアクティブイオンエッチング)等のプラズマエッチングによりエッチングを行って、ヴィアホールを形成する半導体装置において、前記ヴィアホール下の前記金属配線の腐食状態を検査するための、異なる開口径又は間隔の複数個のホールの検査パターンを備えたことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/66 J
, H01L 21/66 S
