シリコン結晶ナノ球体チェーンの製法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-224715
公開番号（公開出願番号）：特開2001-048699
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：

【要約】【課題】シリコン結晶ナノ球体チェーンの高効率で良く制御された生成方法の開発。【解決手段】シリコンの酸化源の酸素元素を含む雰囲気において触媒となる金属を加熱溶融し、該触媒となる金属の溶融粒子にシリコンの気体分子を接触させることにより気相-液相-固相(VLS)機構によりシリコン結晶ホイスカーを生成する方法において、触媒となる金属および/またはシリコンに固溶する添加物元素をシリコン気体分子の生成雰囲気中に共存させることにより、シリコンの同時酸化によって形成されたSiO2 酸化膜で覆われたシリコン結晶ナノ球体がSiO2 酸化膜のネックによってほぼ等間隔に配列されたホイスカー状のチェーンを生成させる。

請求項（抜粋）：

シリコンの酸化源の酸素元素を含む雰囲気において触媒となる金属を加熱溶融し、触媒となる金属の溶融粒子にシリコンの気体分子を接触させることにより気相-液相-固相(VLS)機構によりシリコン結晶ホイスカーを生成する方法において、触媒となる金属および/またはシリコンに固溶する添加物元素をシリコン気体分子の生成雰囲気中に共存させることにより、シリコンの同時酸化によって形成されたSiO2 酸化膜で覆われたシリコン結晶ナノ球体がSiO2 酸化膜のネックによってほぼ等間隔に配列されたホイスカー状のチェーンを生成させることを特徴とするシリコン結晶ナノ球体チェーンの製法。

IPC (4件)：

C30B 29/66 , B01J 19/00 , C01B 33/021 , H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 29/66 , B01J 19/00 N , C01B 33/021 , H01L 21/208 Z

Fターム (56件)：

4G072AA01 , 4G072AA20 , 4G072BB09 , 4G072FF01 , 4G072FF02 , 4G072FF04 , 4G072FF09 , 4G072GG03 , 4G072HH04 , 4G072HH07 , 4G072HH30 , 4G072JJ03 , 4G072LL01 , 4G072LL03 , 4G072MM01 , 4G072NN13 , 4G072QQ09 , 4G072RR03 , 4G072RR11 , 4G072TT30 , 4G072UU30 , 4G075AA27 , 4G075BB03 , 4G075BC04 , 4G075BD17 , 4G075CA02 , 4G075CA54 , 4G075CA63 , 4G077AA03 , 4G077AB09 , 4G077AB10 , 4G077BA04 , 4G077BB03 , 4G077BE05 , 4G077DB04 , 4G077DB05 , 4G077DB09 , 4G077DB28 , 4G077DB29 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB12 , 5F053AA50 , 5F053BB06 , 5F053BB24 , 5F053BB38 , 5F053DD01 , 5F053FF10 , 5F053GG10 , 5F053HH01 , 5F053HH04 , 5F053HH05 , 5F053HH10 , 5F053KK10 , 5F053PP12 , 5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (4件)

針状単結晶体の加工品及びその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-185050 出願人：電気化学工業株式会社
無機質ミクロファイバー製造方法および無機質ミクロファイバー
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-060679 出願人：株式会社自由電子レーザ研究所
シリコン系発光材料の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-235785 出願人：株式会社東芝

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Self-organized chain of crystalline-silicon nanospheres

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