特許
J-GLOBAL ID：200903059374692194

シリコン結晶ナノ球体チェーンの製法

発明者：
河野 日出夫

河野 日出夫 について

, 
竹田 精治

竹田 精治 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-224715
公開番号（公開出願番号）：特開2001-048699
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：
【要約】【課題】 シリコン結晶ナノ球体チェーンの高効率で良く制御された生成方法の開発。【解決手段】 シリコンの酸化源の酸素元素を含む雰囲気において触媒となる金属を加熱溶融し、該触媒となる金属の溶融粒子にシリコンの気体分子を接触させることにより気相-液相-固相(VLS)機構によりシリコン結晶ホイスカーを生成する方法において、触媒となる金属および/またはシリコンに固溶する添加物元素をシリコン気体分子の生成雰囲気中に共存させることにより、シリコンの同時酸化によって形成されたSiO2 酸化膜で覆われたシリコン結晶ナノ球体がSiO2 酸化膜のネックによってほぼ等間隔に配列されたホイスカー状のチェーンを生成させる。
請求項（抜粋）：
シリコンの酸化源の酸素元素を含む雰囲気において触媒となる金属を加熱溶融し、触媒となる金属の溶融粒子にシリコンの気体分子を接触させることにより気相-液相-固相(VLS)機構によりシリコン結晶ホイスカーを生成する方法において、触媒となる金属および/またはシリコンに固溶する添加物元素をシリコン気体分子の生成雰囲気中に共存させることにより、シリコンの同時酸化によって形成されたSiO2 酸化膜で覆われたシリコン結晶ナノ球体がSiO2 酸化膜のネックによってほぼ等間隔に配列されたホイスカー状のチェーンを生成させることを特徴とするシリコン結晶ナノ球体チェーンの製法。
IPC (4件)：
C30B 29/66 ,  B01J 19/00 ,  C01B 33/021 ,  H01L 21/208
FI (4件)：
C30B 29/66 ,  B01J 19/00 N ,  C01B 33/021 ,  H01L 21/208 Z
Fターム (56件)：
4G072AA01 ,  4G072AA20 ,  4G072BB09 ,  4G072FF01 ,  4G072FF02 ,  4G072FF04 ,  4G072FF09 ,  4G072GG03 ,  4G072HH04 ,  4G072HH07 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ03 ,  4G072LL01 ,  4G072LL03 ,  4G072MM01 ,  4G072NN13 ,  4G072QQ09 ,  4G072RR03 ,  4G072RR11 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30 ,  4G075AA27 ,  4G075BB03 ,  4G075BC04 ,  4G075BD17 ,  4G075CA02 ,  4G075CA54 ,  4G075CA63 ,  4G077AA03 ,  4G077AB09 ,  4G077AB10 ,  4G077BA04 ,  4G077BB03 ,  4G077BE05 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077DB09 ,  4G077DB28 ,  4G077DB29 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB12 ,  5F053AA50 ,  5F053BB06 ,  5F053BB24 ,  5F053BB38 ,  5F053DD01 ,  5F053FF10 ,  5F053GG10 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05 ,  5F053HH10 ,  5F053KK10 ,  5F053PP12 ,  5F053RR20
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM